Dünyanın en büyük yarı iletken üreticisi TSMC, gelecek yonga mimarilerinde önemli adımlar atıyor. Şirket, halihazırda bu yıl 5 nm mimariye sahip yongaları üretmeye başlayacak. Bu yongalar, halihazırda 7 nm sürecinde üretilen yongalardan çok daha fazla transistör bulunduracak. Normalde 7 nm yongalarda mm kare başına 91,2 milyon transistör bulunurken, 5 nm mimarili yongalarda bu sayı 171,3 milyon transistöre çıkıyor. 

TSMC, 5 nm yongaları şimdiden Apple ve Huawei gibi yonga seti üreticilerine tedarik etmeye başlıyor. Örneğin iPhone 12 ailesi, her biri 15 milyar transistöre sahip olan A14 Bionic yonga setlerine sahip olacak. iPhone 11’in yonga seti olan A13 Bionic, 7 nm mimariyi kullanıyor ve 8,5 milyar transistöre sahip. 

Şirket, 3 nm’den önce ek bir sürüm çıkaracak

TSMC, 3 nm sürecine kadar oluşacak boşluğu doldurmak için 2023 yılına kadar 5 nm olsa da 4 nm gibi işlem yapabilecek “N4” sürecini açıkladı. Bu yongalar, 5 nm oldukları için önceki nesil yongalarla uyumlu kaldığı gibi bazı performans ve enerji iyileştirmelerine sahip olacak. TSMC, 7 nm’den 5 nm’ye geçerken performans olarak iyileştirilen yongaları piyasaya sürmüştü.

TSMC 3 nm yongalar üretecek

Moore yasasına göre yarı iletken transistör yoğunluğu, her iki yılda bir, iki katına çıkar. Bu durum, çok uzun yıllardan beri bu şekilde devam ediyordu, ancak mimari daha da küçüldükçe bu yasaya uymak da daha fazla zorlaşıyor. Bu teknolojik gelişmelerde o kadar önemli bir gelişme kaydedildi ki önümüzdeki yıllarda yongaların 3 nm mimarisinde kullanılacağı düşünülüyor. 

En büyük yarı-iletken üreticisi TSMC’nin dışında bir diğer devasa yarı-iletken üreticisi Samsung’un da 3 nm yongalar üzerinde çalıştığı biliniyor. Bu mimaride ulaşılacak transistör yoğunluğunun mm kare başına 300 milyona ulaşması bekleniyor.