Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, amorf bor nitrür (a-BN) adı verilen yeni bir materyal keşfettiğini duyurdu. Samsung Advanced Institute of Techonology (SAIT) araştırmacıları, bu keşfi gerçekleştirebilmek için Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) ve University of Cambridge ile birlikte çalıştı.

Gerçekleştirilen bu ortak çalışmayla elde edilen bulgular, Nature dergisinde yayınlandı. Araştırmacılar, materyalin, yeni nesil yarıiletkenlerin gelişmesini hızlandıracağını düşünüyor.

Yarıiletkenlerin gelişimi hızlanacak

Teknoloji devi, yeni keşfedilen amorf bor nitrürün, düzensiz molekül yapısıyla bor ve nitrojen atomlarını içerdiğini ifade etti. Samsung, yeni materyalin beyaz grafenden elde edildiğini ancak farklı moleküler yapısının amorf bor nitrürü kendine has bir hale getirdiğini söyledi.

Koreli şirket, elektriksel karışmayı en aza indirebilmesi ve 400 derece gibi görece düşük sıcaklıkta ince ölçekli olarak büyütülebilmesi sayesinde a-BN’in DRAM ve NAND çözümlerinde kullanılmasını beklediklerini ifade etti. SAIT grafen projesi yöneticisi Hyeon-Jin Shin konuyla ilgili olarak şunları söyledi:

“Grafenin silikon temelli yarıiletken işlemlerle uyumluluğunu artırmak için yarıiletken alt katmanlarda büyüyen ince ölçekli grafenin 400 dereceden düşük bir sıcaklıkta uygulanması gerekiyor. Ayrıca grafen uygulamalarını yarıiletkenlerin ötesine taşımak için de durmaksızın çalışıyoruz.”

Şirket, yeni materyali kendi donanımlarında ne zaman kullanabilecekleriyle ilgili bir tarih vermese de özellikle DRAM ve NAND çözümleri olmak üzere yarıiletkenlere büyük ölçekli sunucular için yeni nesil bellek çözümlerinde uygulanabileceğini ifade etti.