Dünyanın en büyük yarı iletken üreticilerinden biri olan Samsung, endüstrinin ilk üçüncü nesil 10nm sınıfı (1z), aşırı ultraviyole (EUV) tabanlı 16 GB LPDDR5 DRAM modelinin seri üretimine başladığını duyurdu.

Samsung tarafından yapılan açıklamalara göre yeni nesil 10nm 16 GB LPDDR5 DRAM, geçtiğimiz yıl duyurulan 1y sınıfı 12 GB LPDDR5 DRAM yongalarına göre yüzde 16 performans artışı vadediyor ve veri transfer hızı 6400 Mb/sn seviyelerine ulaşmış durumda.

Yine Samsung’un açıklamasına göre 1z sınıfı yeni nesil yonga, 1y sınıfı yongaya göre yüzde 30 daha ince bir yapıya sahip. Bu da özellikle katlanabilir cihazlar ve akıllı telefonlarda mühendislerin mimari konusunda elini güçlendiriyor.

Samsung’a göre yeni nesil bellek yongası, 5G ve yapay zeka teknolojileri için daha fazla güç sunacağından yalnızca veri aktarım ya da uygulama performansında değil, bağlantı ve otonom teknolojilerde de avantaj sağlayacak.

Samsung, yeni nesil 10nm 16 GB LPDDR5 DRAM yongalarının akıllı telefon RAM’lerinde ne zaman kullanılacağına dair kesin bir açıklamada bulunmadı ancak 2021 model amiral gemilerinde görebileceğimizi belirtti.